芒果天天看每日更新偷情_满十八崴按此进入秘密通道_精品国品一二三产品区别

SiC半导体芯片/器件团队

团队负责人:张安平

职务/职称

◆团队负责人
◆教授、国家级专家

研究方向

◆主要从事SiC 半导体芯片/器件科研和产业化工作

团队成员

团队现有成员13人,其中研究员/研究员级高工2人

团队简介

项目简介

重点研究 SiC 二极管、SiC MOSFET和SiC IGBT 设计优化和关键制造工艺技术,通过突破核心关键技术和汇聚高层次人才,实现高性能、高可靠性和高良品率SiC 二极管、SiC MOSFET和SiC IGBT的量产。

潜在市场     

SiC功率芯片可大幅提高电压等级和工作温度,降低导通电阻和开关损耗,具有高效、体积小、轻便、易于集成、故障率低和系统成本低等优势,是高效、大功率密度电子系统的“核心”,是节能减排和产业升级的核心技术。

SiC半导体芯片在新能源汽车、清洁能源、5G通讯、智能电网、轨道交通、白色家电和高等电源等领域有广阔的应用前景。全球功率半导体芯片的市场超过2500亿元,其中50%以上用户在国内。国内功率半导体芯片接近90%需要进口,尤其是高端器件几乎全部依赖进口,进口替代的潜力巨大。

研究内容

(一)SiC功率芯片/器件缺陷相关的基础性研究

(二)SiC功率芯片/器件的设计和优化

(三)SiC功率芯片/器件的关键制造工艺

(四)SiC功率芯片/器件的量产化技术

(五)SiC MOSFET、SiC IGBT可靠性提升技术

金平| 宜兰市| 文水县| 丰台区| 鄂州市| 平昌县| 镇平县| 周口市| 北辰区| 临武县|